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参数资料
| 型号： | IRF6614 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V DIRECTFET-ST |
| 产品变化通告： | (EP) Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 4,800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.3 毫欧 @ 12.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2560pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 2.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 ST |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? ST |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6614
1000
1000
100
10
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.3V
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
2.5V
2.3V
1
10
2.3V
0.1
0.01
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
2.3V
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 4. Typical Output Characteristics
100.0
2.0
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Output Characteristics
10.0
1.0
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
1.5
1.0
I D = 12.7A
VGS = 10V
VDS = 15V
≤ 60μs PULSE WIDTH
0.1
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 6. Typical Transfer Characteristics
TJ , Junction Temperature (°C)
Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature
4000
3000
2000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
30
25
20
15
TA= 25°C
VGS = 3.0V
VGS = 3.5V
VGS = 4.0V
VGS = 4.5V
VGS = 5.0V
VGS = 10V
1000
10
Coss
Crss
0
5
1
10
100
0
20
40
60
80
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
4
ID, Drain Current (A)
Fig 9. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current and Gate Voltage
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RCA10DRMD | CONN EDGECARD 20POS .125 SQ WW |
| GSM06DSES | CONN EDGECARD 12POS .156 EYELET |
| GCM08DSEN | CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET |
| GCM08DSEH | CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET |
| EEM22DSXN | CONN EDGECARD 44POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6614TR1 | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6614TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 55A 8.3mOhm 19nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6614TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6614TRPBF | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 5.9mOhm DirectFET 1.8Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6616 | 功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH 3.7mOhm DirectFET 1.8V Vgs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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