- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17551 > IRF6665 (International Rectifier)MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF6665 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH |
| 产品变化通告： | (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012 |
| 标准包装： | 4,800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 SH |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? SH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6665
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Vds
Vgs
Id
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
V gs(th)
I G
I D
Current Sampling Resistors
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 17a. Gate Charge Test Circuit
D.U.T
+
Fig 17b. Gate Charge Waveform
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
?
?
?
?
Period
di/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D=
P.W.
Period
V DD
+
-
V GS =10V *
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
V DD
Inductor Curent
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Current
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 18. Diode Reverse Recovery Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ESM06DSEH-S243 | CONN EDGECARD 12POS .156 EYELET |
| IR4426STRPBF | IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC |
| ASM02DSEN-S243 | CONN EDGECARD 4POS .156 EYELET |
| GBM10DTBS-S189 | CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD |
| IRS2124SPBF | IC DVR HIGH SIDE 600V SOIC-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6665PBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Latest MOSFET Silicon technology |
| IRF6665TR1 | 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6665TR1PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 62mOhm 19A 8.7nC Qg for Aud RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6665TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6665TRPBF | 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。