参数资料
型号: IRF6665
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
产品变化通告: (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
标准包装: 4,800
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 62 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 530pF @ 25V
功率 - 最大: 2.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DirectFET? 等容 SH
供应商设备封装: DIRECTFET? SH
包装: 带卷 (TR)
IRF6665
DirectFET ? Substrate and PCB Layout, SH Outline
(Small Size Can, H-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding PCB assembly using DirectFET. This
includes all recommendations for stencil and substrate designs.
www.irf.com
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PDF描述
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参数描述
IRF6665PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Latest MOSFET Silicon technology
IRF6665TR1 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6665TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 62mOhm 19A 8.7nC Qg for Aud RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF6665TR1PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF6665TRPBF 功能描述:MOSFET DIGITAL AUDIO 100V 1 N-CH HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube