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参数资料
| 型号： | IRF6691TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET |
| 其它有关文件： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6580pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6691
1000
1000
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
100
TOP
BOTTOM
VGS
10V
7.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.2V
2.9V
2.7V
10
2.7V
1
2.7V
10
0.1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
1
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1.5
I D = 32A
VGS = 10V
100
10
T J = 150°C
1.0
T J = 25°C
1
VDS = 10V
≤ 60μs PULSE WIDTH
0.1
0.5
1
2
3
4
5
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF6691TR1PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6691TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6691TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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