- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18226 > IRF6691TR1 (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF6691TR1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET |
| 其它有关文件： | DirectFET MOSFET 4Ps Checklist |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.8 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 71nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6580pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DirectFET? 等容 MT |
| 供应商设备封装： | DIRECTFET? MT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF6691
10
1000
9
8
I D = 32A
800
ID
TOP 12A
15A
7
6
5
4
3
2
1
0
T J = 25°C
T J = 125°C
600
400
200
0
BOTTOM 26A
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
50
75
100
125
150
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage
15V
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 13. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
L D
V DS
+
VDS
L
DRIVER
V DD -
D.U.T
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
V GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
Fig 14a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
tp
Fig 15a. Switching Time Test Circuit
V DS
90%
10%
V GS
I AS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
6
Fig 14b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 15b. Switching Time Waveforms
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2044TNW01-FA | SWITCH ROCKER DP3T 6A 125V |
| IXTP75N10P | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220 |
| FXO-PC538-156.25 | OSC 156.25 MHZ 3.3V PECL SMD |
| HC49US-21.47727MABJ-UB | CRYSTAL 21.47727 MHZ 18PF HC49/U |
| B32562J1106K | FILM CAP 10UF 10% 100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF6691TR1PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6691TR1PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF6691TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF6691TRPBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF66MN-25 | 制造商:International Rectifier 功能描述:DIRECTFET MOSFET MICROSTENCILS,STEP-BY-STEP DIRECTFET REWORK WITH MICROSCREEN |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。