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参数资料
| 型号： | IRF710 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为400V，导通电阻为3.6Ω，漏电流为2A）) |
| 中文描述： | 2 A, 400 V, 3.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | IRF710 |
IRF710
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
Fig 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Fig 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
E
AS
=
L
L
I
AS2
-1
2
--------------------
BV
DSS
-- V
DD
BV
V
in
V
out
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
Vary t
to obtain
required peak I
D
10V
V
DD
C
L
L
V
DS
I
D
R
G
t
p
DUT
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
V
DD
( 0.5 rated V
DS
)
10V
V
out
V
in
R
L
DUT
R
G
3mA
V
GS
Current Sampling (I
G
)
Resistor
Current Sampling (I
D
)
Resistor
DUT
V
DS
300nF
50k
200nF
12V
Same Type
as DUT
Current Regulator
R
1
R
2
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