- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录443 > IRF710STRLPBF (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF710STRLPBF |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 400V 2.0A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 400V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D2PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF710S, SiHF710S
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
V GS
Top
15 V
10 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
150 ° C
10 0
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
10 0
25 ° C
4.5 V
20 μs Pulse Width
10 -1
20 μs Pulse Width
10 -1
T C = 25 °C
V DS = 50 V
10 0
10 1
4
5
6
7
8
9
10
91042_01
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 - Typical Output Characteristics, T C = 25 °C
91042_03
V GS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Top
V GS
15 V
10 V
3.5
3.0
I D = 2.0 A
V GS = 10 V
8.0 V
7.0 V
2.5
10 0
6.0 V
10 -1
5.5 V
5.0 V
Bottom 4.5 V
4.5 V
20 μs Pulse Width
T C = 150 °C
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
10 0
10 1
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
91042_02
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
91042_04
T J, Junction Temperature (°C)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics, T C = 150 °C
Document Number: 91042
S11-1048-Rev. C, 30-May-11
Fig. 4 - Normalized On-Resistance vs. Temperature
www.vishay.com
3
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7201TR | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| IRF7204 | MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC |
| IRF7207TR | MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC |
| IRF720 | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB |
| IRF7220 | MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF710STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF710STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF711 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF711R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF712 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。