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参数资料
| 型号： | IRF712 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | TRI CON SKT 14 GLD ST/LO |
| 中文描述： | N沟道功率MOSFET，2.25A，350 - 400V |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | IRF712 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF713 | Connector Contact,SKT,CRIMP Terminal |
| IRF710B | 400V N-Channel MOSFET |
| IRFS710B | 400V N-Channel MOSFET |
| IRF710 | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为400V，导通电阻为3.6Ω，漏电流为2A）) |
| IRF720A | N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为400V，导通电阻为1.8Ω，漏电流为3.3A）) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF712R | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF712S2497 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF713 | 制造商:n/a 功能描述:IRF713 |
| IRF713R | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 1.7A I(D) | TO-220AB |
| IRF720 | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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