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参数资料
| 型号： | IRF7201TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7201
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.024
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
–––
–––
0.030 V GS = 10V, I D = 7.3A
0.050 V GS = 4.5V, I D = 3.7A
?
?
μA
nA
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
1.0
5.8
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
19
2.3
––– V V DS = V GS , I D = 250μA
––– S V DS = 15V, I D = 2.3A
1.0 V DS = 24V, V GS = 0V
25 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
-100 V GS = -20V
100 V GS = 20V
28 I D = 4.6A
3.5 nC V DS = 24V
ns
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
–––
–––
–––
–––
6.3
7.0
35
21
9.5 V GS = 10V, See Fig. 10
––– V DD = 15V
––– I D = 4.6A
––– R G = 6.2 ?
?
t f
Fall Time
–––
19
––– R D = 3.2 ? ,
?
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
550
260
100
––– V GS = 0V
––– pF V DS = 25V
––– ? = 1.0MHz, See Fig. 9
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
2.5
58
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
48
73
1.2
73
110
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 4.6A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 4.6A
di/dt = 100A/μs ?
?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. (See fig. 11)
? V DD = 15V, starting T J = 25°C, L = 6.6mH
R G = 25 ? , I AS = 4.6A. (See Figure 8)
2
? I SD ≤ 4.6A, di/dt ≤ 120A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2% .
? When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
www.irf.com
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