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参数资料
| 型号： | IRF7201TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 550pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7201
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 4.6A
0.20
0.15
0.10
0.05
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
V GS = 10V
A
100 120 140 160
0.00
0
10
20
30
40
A
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 5. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
I D , Drain Current (A)
Fig 6. On-Resistance Vs. Drain Current
0.05
200
TOP
I D
2.1A
3.7A
0.04
0.03
I D = 7.3A
160
120
80
40
BOTTOM
4.6A
0.02
2
4
6
8
10
12
14
16
A
0
25
50
75
100
125
A
150
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 7. On-Resistance Vs. Gate Voltage
4
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig 8. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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