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参数资料
| 型号： | IRF7205 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | IRF7205 |
IRF7205
SO8
Dimensions are shown in millimeters (inches)
Tape & Reel Information
330.00
(12.992)
M AX.
14.40 ( .566 )
12.40 ( .488 )
NOT ES :
1. CON TRO LLING DIM ENSION : M ILLIM ETER .
2. OUTLINE C ON FOR MS T O EIA-481 & EIA-541.
FEED D IRECT ION
T ER M INAL NU MBER 1
12.3 ( .484 )
11.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
NOTES:
1. CONTRO LLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIO NS ARE SHOW N IN MILLIMETERS(INCHES).
3. OUTLINE CONFO RMS TO EIA-481 & EIA-541.
WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, Tel: (310) 322 3331
EUROPEAN HEADQUARTERS:
Hurst Green, Oxted, Surrey RH8 9BB, UK Tel: ++ 44 1883 732020
IR CANADA:
7321 Victoria Park Ave., Suite 201, Markham, Ontario L3R 2Z8, Tel: (905) 475 1897
IR GERMANY:
Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 6172 96590
IR ITALY:
Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 11 451 0111
IR FAR EAST:
K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo Japan 171 Tel: 81 3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA:
315 Outram Road, #10-02 Tan Boon Liat Building, Singapore 0316 Tel: 65 221 8371
http://www.irf.com/
Data and specifications subject to change without notice.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7207 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7240 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7241PBF | HEXFET Power MOSFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7205PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 70mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7205TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7205TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7207 | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7207HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-Pin SOIC |
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