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参数资料
| 型号： | IRF7207 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | IRF7207 |
IRF7207
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
0
400
800
1200
1600
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE
I =
13
-5.4A
V
=-10V
DS
1
10
100
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
100us
1ms
10ms
0.1
1
10
100
0.4
0.6
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
0.7
0.9
1.1
1.2
1.4
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
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