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参数资料
| 型号： | IRF7304 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Generation V Technology |
| 中文描述： | 一代V技术 |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | IRF7304 |
132
IRF7304
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
0.1
0.00001
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
A
T
t
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T J
DM
1
2
thJA
A
Fig 12b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 12a.
Basic Gate Charge Waveform
Refer to the Appendix Section for the following:
Appendix A:
Figure 14, Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit — See page 328.
Appendix B:
Package Outline Mechanical Drawing — See page 332.
Appendix C:
Part Marking Information — See page 332.
Appendix D:
Tape and Reel Information — See page 336.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7306 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7309 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7313PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7313 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRF7317 | LED, LOW CURRENT, 5MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7304HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-Pin SOIC |
| IRF7304PBF | 功能描述:MOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7304PBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET |
| IRF7304QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7304QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
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