- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384491 > IRF7306 (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7306 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | IRF7306 |
IRF7306
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
1
10
100
0.1
1
10
100
D
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
1
10
100
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-4.5V
1
10
100
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
V = -15V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
T , Junction Temperature (°C)
R
D
(
A
V = -10V
I = -3.0A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7309 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7313PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7313 | HEXFET POWER MOSFET |
| IRF7317 | LED, LOW CURRENT, 5MM |
| IRF7319 | HEXFET?? Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7306HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin SOIC |
| IRF7306PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7306QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7306QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET |
| IRF7306QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。