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参数资料
| 型号： | IRF7306 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | IRF7306 |
IRF7306
Fig 12a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Gate Charge Test Circuit
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
-10 V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| IRF7319 | HEXFET?? Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7306HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-Pin SOIC |
| IRF7306PBF | 功能描述:MOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7306QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7306QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET |
| IRF7306QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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