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参数资料
| 型号： | IRF7319 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET?? Power MOSFET |
| 中文描述： | 的HEXFET？？功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 137K |
| 代理商： | IRF7319 |
IRF7319
Fig 14.
Typical Transfer Characteristics
Fig 13.
Typical Output Characteristics
Fig 12.
Typical Output Characteristics
Fig 15.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
P-Channel
1
10
100
0.1
1
10
D
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
J
A
-
-V DS
-3.0V
VGS
1
10
100
0.1
1
10
D
A
-
-VDS
-3.0V
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 150°C
J
1
10
100
3.0
3.5
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
V = -10V
20μs PULSE WIDTH
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
GS
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
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