参数资料
型号: IRF7324D1
厂商: International Rectifier
英文描述: FETKY MOSFET / Schottky Diode
中文描述: FETKY MOSFET的/肖特基二极管
文件页数: 3/8页
文件大小: 164K
代理商: IRF7324D1
IRF7324D1
www.irf.com
3
Power Mosfet Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-1.5V
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
D
20μs PULSE W IDTH
T = 150°C
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
-1.5V
0.1
1
10
100
1.5
2.0
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T = 25°C
T = 150°C
D
A
-
V = -15V
20μs PULSE W IDTH
0.1
1
10
100
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
S
A
-
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
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IRF7324PBF 功能描述:MOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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