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参数资料
型号： IRF7325PBF
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件页数： 2/9页
文件大小： 137K
代理商： IRF7325PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.0A
di/dt = -100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
36
28
-1.2
54
42
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
-39
-2.0
A
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs duty cycle
≤
S
D
G
Min. Typ. Max. Units
-12
–––
––– 0.007 –––
–––
–––
–––
–––
-0.40 ––– -0.90
17
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
–––
5.0
–––
4.7
–––
9.4
–––
9.8
–––
240
–––
180
––– 2020
–––
520
–––
330
Conditions
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -7.8A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -6.2A
V
GS
= -1.8V, I
D
= -3.9A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -7.8A
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -8.0V
V
GS
= 8.0V
I
D
= -7.8A
V
DS
= -6.0V
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -6.0V
I
D
= -1.0A
R
D
= 6.0
V
GS
= -4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= -10V
= 1.0MHz
V/°C
24
33
49
V
GS(th)
g
fs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
–––
-1.0
-25
-100
100
33
7.5
7.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
I
GSS
μA
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
When mounted on 1 inch square copper board.
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PDF描述
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IRF7326D2TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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