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参数资料
| 型号： | IRF7341PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | IRF7341PBF |
IRF7341PbF
www.irf.com
5
1
10
100
0
200
400
600
800
1000
1200
V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
C
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
!"%$'()#*
&
&
0
10
20
30
40
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
I =
4.5A
V
= 12V
DS
V
= 30V
DS
V
= 48V
DS
0.1
0.0001
1
10
100
0.001
0.01
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7342 | Power MOSFET |
| IRF7343PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7350 | Power MOSFET(Vdss=+-100V) |
| IRF7353D1 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| IRF7353D2 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7341Q | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7341QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7341QTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7341QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7341TR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R |
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