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参数资料
| 型号： | IRF7452QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF7452QTRPBFDKR |
IRF7452QPbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
100
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.11
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.060
?
V GS = 10V, I D = 2.7A
?
μA
100 V GS = 24V
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5 V V DS = V GS , I D = 250μA
25 V DS = 100V, V GS = 0V
250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150°C
nA
-100 V GS = -24V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 2.7A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
3.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
33
7.3
16
9.5
11
16
––– S V DS = 50V, I D = 2.7A
50 I D = 2.7A
11 nC V DS = 80V
24 V GS = 10V, ?
––– V DD = 50V
ns
––– R G = 6.0 ?
t f
Fall Time
–––
13
––– V GS = 10V
?
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
930
300
84
1370
170
280
––– V GS = 0V
––– V DS = 25V
––– pF ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 80V, ? = 1.0MHz
––– V GS = 0V, V DS = 0V to 80V ?
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Repetitive Avalanche Energy ?
–––
–––
–––
200
4.5
0.25
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JA
Maximum Junction-to-Ambient ?
–––
50
°C/W
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
–––
–––
–––
–––
2.3
36
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
77
270
1.3
120
410
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 2.7A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 2.7A
di/dt = 100A/μs ?
?
2
www.irf.com
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