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参数资料
| 型号： | IRF7452QTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF7452QTRPBFDKR |
IRF7452QPbF
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
100
10
VGS
TOP 15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
1
0.1
5.0V
1
5.0V
0.01
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
0.1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
1 10 100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 150 C
100
10
°
2.5
2.0
1.5
I D = 4.5A
1
T J = 25 ° C
1.0
0.5
T J , Junction Temperature ( C)
0.1
5.0
V DS = 50V
20μs PULSE WIDTH
6.0 7.0
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
8.0
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V GS = 10V
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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