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参数资料
| 型号： | IRF7452TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD- 93897C
SMPS MOSFET
IRF7452
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
High frequency DC-DC converters
V DSS
100V
R DS(on) max
0.060 ?
I D
4.5A
Benefits
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
Top View
A
A
D
D
D
D
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
I D @ T A = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
4.5
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt
3.6
36
2.5
0.02
± 30
3.5
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Typical SMPS Topologies
Telecom 48V input DC-DC with Half Bridge Primary or Datacom 28V input
with Passive Reset Forward Converter Primary
Notes
through
are on page 8
www.irf.com
1
11/23/01
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PDF描述 |
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