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参数资料
| 型号： | IRF7452TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7452
Static @ T J = 25 ° C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
100
–––
–––
V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.11
–––
V/ ° C Reference to 25 ° C, I D = 1mA
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
0.060
?
V GS = 10V, I D = 2.7A
V GS(th)
I DSS
I GSS
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
5.5 V V DS = V GS , I D = 250μA
25 V DS = 100V, V GS = 0V
μA
250 V DS = 80V, V GS = 0V, T J = 150 ° C
100 V GS = 24V
nA
-100 V GS = -24V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
g fs
Forward Transconductance
3.4
–––
–––
S V DS = 50V, I D = 2.7A
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
–––
–––
–––
33
7.3
16
50 I D = 2.7A
11 nC V DS = 80V
24 V GS = 10V,
t d(on)
Turn-On Delay Time
–––
9.5
–––
V DD = 50V
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
C oss
C oss
C oss eff.
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
16
13
930
300
84
1370
170
280
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
I D = 2.7A
R G = 6.0 ?
V GS = 10V
V GS = 0V
V DS = 25V
? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 1.0V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 80V, ? = 1.0MHz
V GS = 0V, V DS = 0V to 80V
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
E AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
–––
–––
–––
200
4.5
0.25
mJ
A
mJ
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JA
Maximum Junction-to-Ambient
–––
50
° C/W
Diode Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
2.3
36
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
–––
–––
–––
–––
77
270
1.3
120
410
V
ns
nC
T J = 25 ° C, I S = 2.7A, V GS = 0V
T J = 25 ° C, I F = 2.7A
di/dt = 100A/μs
2
www.irf.com
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