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参数资料
| 型号： | IRF7452TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 60 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 930pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRF7452
0.06
0.05
0.04
VGS = 10V
VGS = 15V
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
I D = 2.7A
0
4
8
12
16
20
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
ID , Drain Current (A)
Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage
- DS
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Q GS
Q G
Q GD
500
I D
V GS
TOP
2.0A
3mA
I G
I D
Charge
400
BOTTOM
3.6A
4.5A
Current Sampling Resistors
Fig 13a&b. Basic Gate Charge Test Circuit
300
and Waveform
200
15V
V (BR)DSS
100
tp
VDS
L
DRIVER
RG
D.U.T
IAS
+
-
VDD
A
0
25
50
75
100
125
150
I AS
20V
tp
0.01 ?
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 14a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 14c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
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PDF描述 |
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