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参数资料
| 型号： | IRF7466 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7466 |
IRF7466
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30
–––
––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.028
––– V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
m ?
R DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
–––
–––
9.8
13
12.5 V GS = 10V, I D = 11A
17 V GS = 4.5V, I D = 8.8A
?
?
V GS(th)
Gate Threshold Voltage 1.0
–––
3.0 V V DS = V GS , I D = 250μA
I DSS
Drain-to-Source Leakage Current
–––
–––
–––
–––
20 V DS = 24V, V GS = 0V
μA
100 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 125°C
I GSS
Gate-to-Source Forward Leakage –––
Gate-to-Source Reverse Leakage –––
–––
–––
200 V GS = 16V
nA
-200 V GS = -16V
Dynamic @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
––– I D = 8.8A
g fs
Q g
Q gs
Q gd
Q oss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Output Gate Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
16
7.4
5.3
19
10
2.8
13
3.6
2100
710
52
––– S V DS = 15V, I D = 8.8A
23 I D = 8.8A
11 nC V DS = 15V
8.0 V GS = 4.5V ?
29 V GS = 0V, V DS = 15V
––– V DD = 15V
ns
––– R G = 1.8 ?
––– V GS = 4.5V ?
––– V GS = 0V
––– V DS = 15V
––– pF ? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Symbol
E AS
I AR
Parameter
Single Pulse Avalanche Energy ?
Avalanche Current ?
Typ.
–––
–––
Max.
230
8.8
Units
mJ
A
Diode Characteristics
Symbol
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
integral reverse
I S
I SM
V SD
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
Diode Forward Voltage
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.8
0.66
2.3
90
1.3
–––
A
V
D
showing the
G
p-n junction diode. S
T J = 25°C, I S = 8.8A, V GS = 0V ?
T J = 125°C, I S = 8.8A, V GS = 0V ?
t rr
Q rr
t rr
Q rr
Reverse
Reverse
Reverse
Reverse
Recovery Time
Recovery Charge
Recovery Time
Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
42
59
42
61
63
89
63
92
ns
nC
ns
nC
T J = 25°C, I F = 8.8A, V R =15V
di/dt = 100A/μs ?
T J = 125°C, I F = 8.8A, V R =15V
di/dt = 100A/μs ?
2
www.irf.com
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