- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21644 > IRF7464 (International Rectifier)MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7464 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 730 毫欧 @ 720mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF7464 |
PD- 93895
SMPS MOSFET
IRF7464
HEXFET ? Power MOSFET
Applications
l High frequency DC-DC converters
V DSS
200V
R DS(on) max
0.73 ?
I D
1.2A
Benefits
l
l
l
Low Gate to Drain Charge to Reduce
Switching Losses
Fully Characterized Capacitance Including
Effective C OSS to Simplify Design, (See
App. Note AN1001)
Fully Characterized Avalanche Voltage
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
A
A
D
D
D
D
and Current
Absolute Maximum Ratings
Parameter
T o p V ie w
Max.
SO-8
Units
I D @ T A = 25°C
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
1.2
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
V GS
dv/dt
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Peak Diode Recovery dv/dt ?
1.0
10
2.5
0.02
± 30
6.8
A
W
W/°C
V
V/ns
T J
T STG
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
°C
Typical SMPS Topologies
l
Telecom 48V input Forward Converter
Notes ? through ? are on page 8
www.irf.com
1
4/25/00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UB15KKG015F-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB16SKG035C-JC | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB16SKG035D-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| ECH-U1H681GB5 | CAP FILM 680PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H221GB5 | CAP FILM 220PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7464PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7464TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7464TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7465 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7465HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。