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参数资料
| 型号： | IRF7464 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 730 毫欧 @ 720mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF7464 |
IRF7464
0.70
VGS = 10V
0.70
0.60
0.50
0.60
0.50
I D = 0.72A
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
7
8
9
10
11
12
13
14
15
ID , Drain Current (A)
Fig 12. On-Resistance Vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 13. On-Resistance Vs. Gate Voltage
- DS
12V
.2 μ F
50K ?
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V GS
V G
Q GS
Q G
Q GD
200
I D
V GS
TOP
0.5A
3mA
I G
I D
Charge
160
BOTTOM
0.8A
1.2A
Current Sampling Resistors
Fig 13a&b. Basic Gate Charge Test Circuit
120
and Waveform
80
15 V
V (B R )D S S
40
tp
VD S
L
DRIVE R
RG
D .U .T
IA S
+
-
VD D
A
0
25
50
75
100
125
150
I AS
20V
tp
0.01 ?
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 14a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 14c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UB15KKG015F-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB16SKG035C-JC | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB16SKG035D-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| ECH-U1H681GB5 | CAP FILM 680PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H221GB5 | CAP FILM 220PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7464PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7464TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7464TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7465 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7465HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC |
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