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参数资料
| 型号： | IRF7464 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 730 毫欧 @ 720mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF7464 |
IRF7464
SO-8 Tape and Reel
TER M IN AL N UM B ER 1
1 2.3 ( .484 )
1 1.7 ( .461 )
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
F EE D D IRE C TIO N
N OT E S :
1 . CO NT RO L L ING DIM E NSIO N : M IL L IM E T E R .
2 . AL L DIM E NS ION S ARE SHO W N IN M ILL IM E TER S (INC HE S ).
3 . OU TL IN E CO N FO RM S T O E IA -4 8 1 & E IA -5 4 1 .
33 0.00
(12.992)
M AX .
14.4 0 ( .566 )
12.4 0 ( .488 )
N O T ES :
1 . CO NT RO LL ING D IM EN SIO N : M ILLIME TER .
2 . O U TLIN E C O NF O RM S T O E IA-48 1 & E IA -54 1.
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 94mH
R G = 25 ? , I AS = 1.2A.
? I SD ≤ 0.72A, di/dt ≤ 130A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 150°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
? C oss eff. is a fixed capacitance that gives the same charging time
as C oss while V DS is rising from 0 to 80% V DSS
? When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
IR EUROPEAN REGIONAL CENTER: 439/445 Godstone Rd, Whyteleafe, Surrey CR3 OBL, UK Tel: ++ 44 (0)20 8645 8000
IR CANADA: 15 Lincoln Court, Brampton, Ontario L6T3Z2, Tel: (905) 453 2200
IR GERMANY: Saalburgstrasse 157, 61350 Bad Homburg Tel: ++ 49 (0) 6172 96590
IR ITALY: Via Liguria 49, 10071 Borgaro, Torino Tel: ++ 39 011 451 0111
IR JAPAN: K&H Bldg., 2F, 30-4 Nishi-Ikebukuro 3-Chome, Toshima-Ku, Tokyo 171 Tel: 81 (0)3 3983 0086
IR SOUTHEAST ASIA: 1 Kim Seng Promenade, Great World City West Tower, 13-11, Singapore 237994 Tel: ++ 65 (0)838 4630
IR TAIWAN: 16 Fl. Suite D. 207, Sec. 2, Tun Haw South Road, Taipei, 10673 Tel: 886-(0)2 2377 9936
Data and specifications subject to change without notice. 4/00
8
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UB15KKG015F-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB16SKG035C-JC | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB16SKG035D-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| ECH-U1H681GB5 | CAP FILM 680PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H221GB5 | CAP FILM 220PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7464PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7464TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7464TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7465 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7465HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC |
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