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参数资料
| 型号： | IRF7464 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 730 毫欧 @ 720mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1523 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF7464 |
IRF7464
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
20
I D = 0.72A
1000
Ciss = C gs + Cgd, C ds
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
SHORTED
16
V DS = 160V
V DS = 100V
V DS = 40V
100
Ciss
Coss
12
8
10
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
1
1
10
100
1000
0
0
2
4
6
8
SEE FIGURE 13
10 12
14
T J = 150 C
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
10
°
100
10
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10us
1
100us
T J = 25 ° C
1
1ms
T A = 25 C
0.1
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V GS = 0 V
0.9 1.0
0.1
1
°
T J = 150 ° C
Single Pulse
10
100
10ms
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UB15KKG015F-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB16SKG035C-JC | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| UB16SKG035D-JB | SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V |
| ECH-U1H681GB5 | CAP FILM 680PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1H221GB5 | CAP FILM 220PF 50VDC 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7464PBF | 功能描述:MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 730mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7464TR | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7464TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7465 | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7465HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC |
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