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参数资料
| 型号： | IRF7466 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7466 |
Fig 6. On-Resistance Vs. Drain Current
IRF7466
12
10
8
6
V DS
V GS
R G
4.5V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
R D
D.U.T.
+
- V DD
4
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
2
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature
( ° C)
10%
V GS
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 10b. Switching Time Waveforms
100
D = 0.50
10
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
t 1
t 2
Notes:
1. Duty factor D =
t 1 / t 2
0.01
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 10. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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