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参数资料
| 型号： | IRF7467 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7467 |
IRF7467
1000
VGS
1000
VGS
100
TOP
15.0V
10.0V
4.50V
3.00V
2.70V
100
TOP
15.0V
10.0V
4.50V
3.00V
2.70V
10
1
0.1
2.0V
2.50V
2.25V
BOTTOM 2.00V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
10
1
0.1
2.50V
2.25V
BOTTOM 2.00V
2.0V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
2.0
I D = 11A
T J = 150 C
°
1.5
10
T J = 25 ° C
1.0
1
0.5
V DS = 15V
0.1
2.0
2.4
2.8
20μs PULSE WIDTH
3.2
3.6
0.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
V GS = 10V
80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( C)
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
°
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRF7467TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 10A 15mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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