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参数资料
| 型号： | IRF7467 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 32nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2530pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF7467 |
IRF7467
SO-8 Package Details
D
-B -
5
D IM
A
IN C H E S
M IN MAX
.0532 .0688
M IL LIM E T E R S
M IN M AX
1 .35 1 .75
5
E
8
7
6
5
H
A1
B
.0040
.014
.0098
.018
0 .10
0 .36
0 .25
0 .46
-A -
1
2
3
4
0.2 5 (.0 10 )
M
A M
C
D
.0 075
.1 89
.0 098
.1 96
0 .19
4 .80
0.25
4.98
E
.150
.157
3 .81
3 .99
e
6X
e1
A
θ
θ
K x 45 °
e
e1
H
K
.050 B A S IC
.025 B A S IC
.2 284 .2 440
.011 .019
1.2 7 B A S IC
0.6 35 B A S IC
5 .80 6.20
0 .28 0 .48
-C-
B 8X
0 .25 (.01 0)
A1
M C A S B S
0 .10 (.00 4)
L
8X
6
C
8X
L
θ
0 .16 .050 0 .41
0° 8° 0°
R E CO M M E ND E D F O O TP R IN T
1.27
8°
N O TE S :
1 . D IM EN SIO N IN G AN D TO L ER A NC IN G P ER AN S I Y1 4.5 M -198 2.
2 . C O N TRO L LIN G D IM EN SIO N : IN C H .
3 . D IM EN SIO N S A RE SH O W N IN M ILLIM E TE R S (IN C HE S).
0 .72 (.02 8 )
8X
4 . O U TLIN E CO N F O RM S TO JED E C O U TLINE M S -0 12 AA .
5 D IM E NS IO N D O ES N O T IN C LU D E M O LD PR O TR US IO N S
M O LD P R O TR U SIO NS N O T TO EXCE ED 0 .2 5 (.00 6).
6 D IM E NS IO N S IS TH E LE N G TH O F L EA D FO R SO L DE R IN G TO A SU B STRA TE..
6 .46 ( .25 5 )
1.27 ( .0 50 )
1 .78 (.07 0)
8X
3X
SO-8 Part Marking
www.irf.com
7
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PDF描述 |
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