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参数资料
| 型号： | IRF7477 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | IRF7477 |
IRF7477
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(B R)D SS
I
AS
RG
IAS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
3.7A
6.6A
8.2A
TOP
0
20
40
60
80
100
120
ID , Drain Current (A)
0.005
0.006
0.007
0.008
0.009
RD
)
VGS = 10V
VGS = 4.5V
3.0
3.4
3.8
4.2
4.6
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.006
0.008
0.010
0.012
RD
)
ID = 14A
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7477TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC - Tape and Reel |
| IRF7477TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 14A 8.5mOhm 25nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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