- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384491 > IRF7478PBF (International Rectifier) SMPS MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7478PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的开关电源 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IRF7478PBF |
IRF7478PbF
6
www.irf.com
Fig 13.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
Fig 12.
On-Resistance Vs. Drain Current
Fig 14a&b.
Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
Fig 15a&b.
Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
Fig 15c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
ID
1.9A
3.4A
4.2A
TOP
BOTTOM
0
10
20
30
40
50
60
ID , Drain Current (A)
0.016
0.018
0.020
0.022
0.024
0.026
0.028
RD
VGS = 10V
VGS = 4.5V
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
14.0
16.0
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.01
0.02
0.03
0.04
RD
)
ID = 7.0A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7484Q | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF7488 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7490PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7490 | LED RED HLMP-6000-012 SMT |
| IRF7491 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7478QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7478QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7478TR | 功能描述:MOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26 mOhm, 21 nC Qg, SO-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7478TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 7.6A 26mOhm 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7484 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。