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参数资料
| 型号： | IRF7523D1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 管件 |
IRF7523D1
Power Mosfet Characteristics
400
V GS
C iss
C rss
C oss
=
=
=
=
0V , f = 1M H z
C gs + C gd , C ds S H O R TE D
C gd
C ds +C gd
20
16
I D = 1.7A
V D S = 24V
V D S = 15V
300
C is s
C os s
12
200
8
100
C rs s
4
FO R TE S T C IR C U IT
0
A
0
S E E FIG U R E 9
A
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
1000
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 9. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
D = 0.50
0.20
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 10. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
10
0.10
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
1
0.1
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJC + T C
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 9. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRF7523D1TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7524D1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V) |
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