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参数资料
| 型号： | IRF7523D1 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 130 毫欧 @ 1.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 管件 |
IRF7523D1
Schottky Diode Characteristics
10
1
T J = 1 5 0 °C
T J = 1 2 5 °C
T J = 2 5 °C
160
Fig. 13 - Typical Values of Reverse
Current Vs. Reverse Voltage
140
120
100
V r = 80% R ated
R t h JA = 1 00°C /W
Sq uare wave
0.1
80
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8
V - F D ro - V
F o Forward Voltage Drop F M V (V (V)
1.0
60
40
D
D
D
D
= 3/4
= 1/2
= 1/3
= 1/4
Fig. 12 -Typical Forward Voltage Drop Characteris-
tics
20
0
D
= 1/5
DC
A
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
A v era ge F orw ard C urrent - I F(AV ) (A )
Fig.14 - Maximum Allowable Ambient
Temp. Vs. Forward Current
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7521D1 | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO-8 |
| IRFU9024N | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK |
| MMBD4448HCQW-7-F | DIODE SW ARRAY 80V 200MW SOT353 |
| ECH-U1H121GB5 | CAP FILM 120PF 50VDC 0805 |
| ECH-U1C683JB5 | CAP FILM 0.068UF 16VDC 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7523D1PBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7523D1TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7523D1TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7524D1 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FETKY⑩ MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V) |
| IRF7524D1GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:FETKY MOSFET & Schottky Diode |
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