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参数资料
| 型号： | IRF7524D1TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.7A MICRO8 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet Micro-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 270 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7524D1DKR |
IRF7524D1
Micro8 TM Package Details
LE AD A SSIGN M EN TS
INC H ES
M ILLIME TE RS
D
-B-
3
D D D D
D1 D1 D2 D2
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A
M IN
.0 36
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MIN
0 .91
M AX
1.11
A1
.0 04
.008
0 .10
0.20
8 7 6 5
8 7 6 5
B
.0 10
.014
0 .25
0.36
3
E
8 7 6 5
H
S IN G LE
D UAL
C
D
.005
.116
.007
.120
0.13
2.95
0.18
3.05
-A-
0.2 5 (.010)
M
A
M
1 2 3 4
1 2 3 4
e
.0256 B ASIC
0.65 BAS IC
1 2 3 4
e1
.0128 B ASIC
0.33 BAS IC
e
6X
S S S G
S 1 G 1 S2 G 2
E
H
L
θ
.1 16
.188
.016
0°
.120
.198
.026
6°
2.95
4.78
0.4 1
0°
3.0 5
5.03
0.66
6°
e1
θ
RE C OM M E ND ED F O O TP RIN T
-C-
B
8X
A1
A
0.10 (.004)
L
C
1.04
( .0 41 )
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0.38
( .015 )
8X
8X
8X
0.0 8 (.0 03)
M
C A S
B S
3.2 0
4.2 4
5.2 8
N O TE S :
1 DIME N S ION IN G A N D T O L E RA N C IN G P E R A N S I Y 1 4 .5M -1 9 8 2 .
( .126 )
( .167 ) ( .2 08 )
2 CO N T R OL L IN G DIME N S ION : INC H .
3 DIME N S ION S D O N O T INC L U D E M O L D F L A S H .
Part Marking
www.irf.com
0.65
( .02 56 )
6X
7
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PDF描述 |
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