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参数资料
| 型号： | IRF7607 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO-8 |
| 标准包装： | 95 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1310pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | Micro8? |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 管件 |
IRF7607
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0.20
0.10
0.00
-0.10
-0.20
-0.30
-0.40
Id = 250μA
0.0
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature ( C)
°
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
T J , Temperature ( ° C )
Fig 10. Typical Vgs(th) Variance Vs.
Juction Temperature
1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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