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参数资料
| 型号： | IRF7700TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 8.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7700TRPBFDKR |
PD - 93894A
IRF7700
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
Ultra Low On-Resistance
P-Channel MOSFET
Very Small SOIC Package
Low Profile (< 1.1mm)
V DSS
-20V
R DS(on) max
0.015@V GS = -4.5V
0.024@V GS = -2.5V
I D
-8.6A
-7.3A
l
Available in Tape & Reel
Description
HEXFET ? power MOSFETs from International Rectifier
1
D
8
utilize advanced processing techniques to achieve ex-
tremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the ruggedized device design , that Inter-
national Rectifier is well known for, provides the de-
signer with an extremely efficient and reliable device
for use in battery and load management.
2
3
4
1=
2=
3=
D
S
S
G
S
8=
7=
6=
D
S
S
7
6
5
The TSSOP-8 package, has 45% less footprint area than
4=
G
5=
D
TSSOP-8
the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal
device for applications where printed circuit board space
is at a premium.
The low profile (<1.1mm) of the TSSOP-8 will allow it to fit
easily into extremely thin application environments such
as portable electronics and PCMCIA cards.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 70°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 70°C
V GS
T J, T STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Continuous Drain Current, V GS @ -4.5V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
-20
±8.6
±6.8
±68
1.5
0.96
0.01
± 12
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
83
°C/W
1
6/19/00
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7701GTRPBF | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP |
| IRF7701TRPBF | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP |
| IRF7702GTRPBF | MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7701 | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7701GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance |
| IRF7701GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -10A 11mOhm 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7701HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -10A, 11 MOHM, 69 NC QG, TSSOP-8 - Rail/Tube |
| IRF7701PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TSSOP-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, TSSOP-8 |
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