参数资料
型号: IRF7700TRPBF
厂商: International Rectifier
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描述: MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
产品变化通告: Product Discontinuation 08/Jul/2011
标准包装: 1
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 15 毫欧 @ 8.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 89nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 4300pF @ 15V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装: 8-TSSOP
包装: 标准包装
其它名称: IRF7700TRPBFDKR
IRF7700
0.026
0.06
0.022
0.04
0.018
I D = -8.6A
VGS = -2.5V
0.02
0.014
VGS = -4.5V
0.010
0.00
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
20
40
60
80
-V GS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 11. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
-I D , Drain Current (A)
Fig 12. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
V G
Q GS
Q GD
V GS
-3mA
D.U.T.
V DS
6
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
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参数描述
IRF7701 功能描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7701GPBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance
IRF7701GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -10A 11mOhm 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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