- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录444 > IRF7703GTRPBF (International Rectifier)MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRF7703GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7703GTRPBFDKR |
PD- 96148A
IRF7703GPbF
l
Ultra Low On-Resistance
HEXFET ? Power MOSFET
l
l
l
l
P-Channel MOSFET
Very Small SOIC Package
Low Profile (< 1.2mm)
Available in Tape & Reel
V DSS
-40V
R DS(on) max (m W)
28@V GS = -10V
45@V GS = -4.5V
I D
-6.0A
-4.8A
l
l
Lead-Free
Halogen-Free
Description
HEXFET ? Power MOSFETs from International Rectifier
utilize advanced processing techniques to achieve ex-
tremely low on-resistance per silicon area. This benefit,
combined with the ruggedized device design, that Inter-
national Rectifier is well known for, provides the de-
signer with an extremely efficient and reliable device
for battery and load management.
The TSSOP-8 package has 45% less footprint area than
the standard SO-8. This makes the TSSOP-8 an ideal
device for applications where printed circuit board space
is at a premium. The low profile (<1.2mm) allows it to fit
easily into extremely thin environments such as portable
electronics and PCMCIA cards.
Absolute Maximum Ratings
TSSOP-8
Parameter
Max.
Units
V DS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T A = 70°C
V GS
T J, T STG
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Continuous Drain Current, V GS @ -10V
Pulsed Drain Current ?
Power Dissipation ?
Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
-40
-6.0
-4.7
-24
1.5
0.96
0.012
± 20
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
V
°C
Thermal Resistance
Parameter
Max.
Units
R θ JA
www.irf.com
Maximum Junction-to-Ambient ?
83
°C/W
1
05/15/09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7703TRPBF | MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP |
| IRF7704GTRPBF | MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP |
| IRF7705GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP |
| IRF7706GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP |
| IRF7707GTRPBF | MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7703HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin TSSOP |
| IRF7703TR | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7703TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin TSSOP T/R |
| IRF7703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -40V -6A 28mOhm 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7704 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。