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参数资料
| 型号： | IRF7703GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5220pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7703GTRPBFDKR |
IRF7703GPbF
0.05
0.040
0.04
0.035
VGS = -4.5V
0.03
I D = -6.0A
0.030
0.025
0.02
0.020
VGS = -10V
0.01
3.0
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
0.015
0
5
10
15
20
25
-V GS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
-I D , Drain Current (A)
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
V G
Q GS
Q GD
V GS
-3mA
D.U.T.
V DS
6
Charge
Fig 14a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 14b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7703TRPBF | MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP |
| IRF7704GTRPBF | MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP |
| IRF7705GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP |
| IRF7706GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP |
| IRF7707GTRPBF | MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7703HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin TSSOP |
| IRF7703TR | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7703TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6A 8-Pin TSSOP T/R |
| IRF7703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -40V -6A 28mOhm 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7704 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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