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参数资料
型号： IRF7703GTRPBF
厂商： International Rectifier
文件页数： 2/9页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP
产品变化通告： Product Discontinuation 08/Jul/2011
产品目录绘图： IR Hexfet 8-TSSOP
标准包装： 1
系列： HEXFET®
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 28 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 62nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 5220pF @ 25V
功率 - 最大： 1.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装： 8-TSSOP
包装： 标准包装
其它名称： IRF7703GTRPBFDKR
IRF7703GPbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-40
–––
––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.030
–––
V/°C
Reference to 25°C, I D = -1mA
m ?
μA
nA
ns
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
-1.0
10
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
41
16
16
43
405
155
77
5220
416
337
28 V GS = -10V, I D = -6.0A ?
45 V GS = -4.5V, I D = -4.8A ?
-3.0 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– S V DS = -10V, I D = -6.0A
-15 V DS = -32V, V GS = 0V
-25 V DS = -32V, V GS = 0V, T J = 70°C
-100 V GS = -20V
100 V GS = 20V
62 I D = -6.0A
25 nC V DS = -20V
24 V GS = -4.5V
––– V DD = -20V ?
––– I D = -1.0A
––– R G = 6.0 ?
––– V GS = -10V
––– V GS = 0V
––– pF V DS = -25V
––– ? = 1.0kHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
- 1.5
- 24
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
34
56
-1.2
51
84
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.5A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -1.5A
di/dt = -100A/μs ?
?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? Surface mounted on 1 in square Cu board
www.irf.com
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PDF描述
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