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参数资料
| 型号： | IRF7700TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 8.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7700TRPBFDKR |
IRF7700
5.0
4.0
V GS
V DS
R D
D.U.T.
R G
V DD
3.0
V GS
2.0
1.0
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
t d(on)
t r
t d(off)
t f
0.0
25
50
75
100
125
150
V GS
10%
T C , Case Temperature ( ° C)
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
90%
V DS
Fig 10b. Switching Time Waveforms
100
D = 0.50
0.20
10
0.10
0.05
0.02
1
0.1
0.01
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
P DM
t 1
Notes:
1. Duty factor D = t 1 / t 2
2. Peak T J = P DM x Z thJA + T A
t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t 1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 10. Typical Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
www.irf.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IRF7701GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance |
| IRF7701GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -10A 11mOhm 69nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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