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参数资料
| 型号： | IRF7700GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 15 毫欧 @ 8.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 89nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4300pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1521 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | IRF7700GTRPBFDKR |
IRF7700GPbF
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
ID = -250μA
60
50
40
30
20
10
0
-50
0
50
100
150
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
T J , Temperature (°C)
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
www.irf.com
Time (sec)
Fig 15. Typical Power Vs. Time
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7700TRPBF | MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP |
| IRF7701GTRPBF | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP |
| IRF7701TRPBF | MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP |
| IRF7702GTRPBF | MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP |
| IRF7703GTRPBF | MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7700PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET P TSSOP-8 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, P, TSSOP-8 |
| IRF7700TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7700TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -20V A mOhm 59nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7701 | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7701GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance |
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