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参数资料
| 型号： | IRF7702GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 81nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3470pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7702GTRPBFDKR |
IRF7702GPbF
1000
100
10
VGS
TOP -7.50V
-5.00V
-4.00V
-3.50V
-3.00V
-2.50V
-2.00V
BOTTOM -1.50V
1000
100
10
VGS
TOP -7.50V
-5.00V
-4.00V
-3.50V
-3.00V
-2.50V
-2.00V
BOTTOM -1.50V
-1.50V
-1.50V
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10 100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100.00
T J = 25°C
T J = 150°C
100
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
10.00
10
1.5
V DS = -15V
20μs PULSE WIDTH
2.0 2.5 3.0
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
3.5
1.00
0.0
VGS = 0V
1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
-V SD, Source-toDrain Voltage (V)
6.0
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7702PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP |
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| IRF7702TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP - Tape and Reel |
| IRF7702TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -8A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7703 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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