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参数资料
| 型号： | IRF7702GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 81nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3470pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7702GTRPBFDKR |
IRF7702GPbF
2.0
1.5
I D = -8.0A
0.20
0.16
0.12
1.0
0.08
VGS = -2.5V
VGS = -4.5V
0.5
0.04
T J , Junction Temperature ( C)
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
V GS = -4.5V
°
0.00
0
20
40 60
-I D , Drain Current (A)
80
100
Fig 12. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 13. Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
0.020
I D = -8.0A
0.015
0.010
1.5
2.5
3.5
-V GS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 14. Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
6
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7703GTRPBF | MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP |
| IRF7703TRPBF | MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP |
| IRF7704GTRPBF | MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP |
| IRF7705GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP |
| IRF7706GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7702PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP |
| IRF7702TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 8A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7702TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 8A 8-Pin TSSOP T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 12V 8A 8TSSOP - Tape and Reel |
| IRF7702TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -12V -8A 14mOhm 54nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7703 | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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