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参数资料
| 型号： | IRF7705GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2774pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7705GTRPBFDKR |
IRF7705GPbF
4000
3200
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
16
I D = 8.0A
V DS =-24V
V DS =-15V
Ciss
12
2400
8
1600
800
Coss
Crss
4
0
1
10
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0
10
20 30 40 50 60
Q G , Total Gate Charge (nC)
70
80
100
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
100
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
T J = 150 C
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
°
10
1
T J = 25 ° C
10
100us
1ms
T C = 25 C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V GS = 0 V
1.2
1.4
°
T J = 150 ° C
Single Pulse
1
0.1
1
10
10ms
100
4
-V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7706GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP |
| IRF7707GTRPBF | MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP |
| IRF7707TRPBF | MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP |
| IRF7805QTRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| IRF7805ZGPBF | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7705HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin TSSOP |
| IRF7705PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin TSSOP 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7705TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7705TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -8A 18mOhm 58nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7705TRPBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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