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参数资料
| 型号： | IRF7705GTRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 88nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2774pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRF7705GTRPBFDKR |
IRF7705GPbF
0.08
0.07
0.06
0.05
0.06
0.04
VGS = -4.5V
0.04
0.03
ID = -8.0A
0.02
VGS = -10V
0.02
0.01
0.00
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
0
10
20
30
40
50
-V GS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
-ID , Drain Current ( A )
Fig 13. Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
10 V
Q GS
Q GD
V GS
D.U.T.
V DS
V G
-3mA
I G
I D
Current Sampling Resistors
Charge
6
Fig 14a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 14b. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7706GTRPBF | MOSFET P-CH 30V 7A 8-TSSOP |
| IRF7707GTRPBF | MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP |
| IRF7707TRPBF | MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP |
| IRF7805QTRPBF | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC |
| IRF7805ZGPBF | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF7705HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin TSSOP |
| IRF7705PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin TSSOP 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7705TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF7705TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -30V -8A 18mOhm 58nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF7705TRPBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
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