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参数资料
| 型号： | IRF820 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB |
| 标准包装： | 1,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRF820 IRF820IR |
IRF820, SiHF820
Vishay Siliconix
500
I D
400
Top
1.1 A
1.6 A
Bottom 2.5 A
300
200
100
0
V DD = 50 V
25
50
75
100
125
150
91059_12c
Starting T J , Junction Temperature (°C)
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Current regulator
Same type as D.U.T.
10 V
Q G
12 V
0.2 μF
50 k Ω
0.3 μF
Q GS
Q GD
D.U.T.
+
-
V DS
V G
Charge
V GS
3 mA
I G
I D
Current sampling resistors
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
www.vishay.com
6
Fig. 13b - Gate Charge Test
Document Number: 91059
S11-0507-Rev. C, 21-Mar-11
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF840LPBF | MOSFET N-CH 500V 8A TO-262 |
| IRF840STRRPBF | MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK |
| IRF8714GPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| IRF8721GTRPBF | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| IRF9204PBF | MOSFET P-CH 40V 74A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF820_R4943 | 功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF820-220 | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820-220FP | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820-251 | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
| IRF820-252 | 制造商:SUNTAC 制造商全称:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET |
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